核心提示： 　　　電壓擊穿是指半導體PN結或絕緣介質層在過電壓下的擊穿。在現代VLSI電路中，柵氧化層厚度已薄到納米級，小到近百伏或幾十伏的靜電電壓，就足以使元器件失效或性能降低。　　過電壓的主要來源是摩擦電。當一個人走進房間或

 　　電壓擊穿是指半導體PN結或絕緣介質層在過電壓下的擊穿。在現代VLSI電路中，柵氧化層厚度已薄到納米級，小到近百伏或幾十伏的靜電電壓，就足以使元器件失效或性能降低。

 　　過電壓的主要來源是摩擦電。當一個人走進房間或僅僅把集成電路從塑料封袋材料中取出，就可能產生15000—20000V的電壓，遠超過靜電破壞電壓。以MOS場效應晶體管為例，金屬鋁柵、絕緣介質層SIO2，半導體N溝道，這樣的結構相當于一個平板電容，電容量大約3PF。

 　　當鋁柵上出現靜電荷聚積時，由V=Q/C知，即使微量電荷，也會使電壓升得很高。而絕緣介質層SIO2的耐壓值僅在100V左右，當靜電電壓達到或超過耐壓值，氧化膜就會被擊穿，造成針孔而使柵溝相通，損傷器件，造成隱患，或使器件失效。

 　　功率擊穿是指半導體PN結、絕緣介質層、連接導線等在過電流下的擊穿，它與靜電放電脈沖形狀、持續時間和能量積累有關。靜電放電電流流過集成電路內部引起PN結的溫度升高。

 　　有的可能燒毀內部連接導線或造成內部連接導線變窄，有的引起合金化或造成金屬的擴散，最終造成器件永久性的破壞或嚴重老化。電老化是最頭痛的“軟擊穿”，它在當時并不能被發現，但在其后隨時可能出現失效，這時使用它的電子設備無疑會帶來極大的隱患。 　

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