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淺談靜電電壓對半導體及IC生產線的危害

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2014-06-05

1、半導體和IC生產線上的靜電電壓


  
  ①穿著尼龍衣、塑膠基底鞋緩慢在清潔地板上走動,人身會帶7KV-8KV電壓


  
  ②玻璃纖維制成的晶體載料盒滑過聚丙烯桌面時,易產生10KV靜電。


  
   ③晶片裝配線:晶片5KV,晶片裝料盒35KV,工作服10KV,桌面10KV,有機玻璃蓋8KV,石英晶體1.5KV,晶片托盤6KV


  
   ④光刻間塑料地面500V-1000V,金屬網格地面也是500V-1000V,擴散間塑料地面500V-1500V瓷磚地面也是500V-1500V,塑料墻面約700V,塑料頂棚0-1000V,鋁板送風口,回風口500V-1000V,金屬活動皮革椅面500V-3000V


  
  2、半導體和IC生產線上的靜電危害


  
   ①靜電庫侖力的危害:靜電庫侖力作用下吸附的粉塵、污物,可能帶給元器件,從而增大泄露或造成短路,使性能受損,成品率大大下降。如粉塵粒徑>100微米,鋁線寬度約100微米,薄膜厚度在50微米以下時,最易使產品報廢,這種情形多發生在腐蝕清洗、光刻、點焊和封裝等工藝過程中


  
   ②靜電放電引起的危害:如有數千、數萬伏的高電位物體發生脈沖刷形放電或火花放電時,瞬間會有很高的放電電流流向大地時,形成脈沖狀的電流峰位在20A,造成可觀的影響,靜電放電(ESD)還伴隨著電磁波發射,會引起種種危害。


  
   A、MOSIC等半導體器件將被靜電放電(ESD)擊穿或半擊穿。MOS場效應管其柵極是從氧化膜引出,柵極與襯底間是隔著一層氧化膜,當柵極與襯底間的電壓超過一定值,氧化膜便被擊穿,如果MOSIC,則全部報廢了當施加電壓于天UB=50-100V,氧化膜便會被擊穿,因為柵極電容很小(約幾個微微法),輸入阻搞很高(約1014Ω以上),這樣,少量的電荷就會產生很高電壓,電荷也很難匯漏,只要大于50V(無保護)就會燒毀,所以,只要人手一摸柵極,元件就壞了,因為人帶電超過50V是平常事。


  
   我們可以了解到集成電路對靜電敏感性,各種芯片不同之處在于所能承受的耐靜電壓值不同。實際工用條件中,幾乎20V的靜電壓直接接觸器件就足以毀壞或降低性能。


  
  靜電放電損壞元器件使整塊印刷電路板失去作用,造成經濟損失;


  
   靜電放電的噪聲引起機器設備的誤動作或故障一間接放電影響,電容放電測得結果,除產生瞬間脈沖大電流外,還會產生跨越數兆赫茲,甚至數百赫茲的強大噪聲。近年來,靜電放電噪聲引起計算機誤動作的基礎研究取得很大進展。


  
  放電時產生的電磁波進入接收機后,會產生雜音,干擾信號從而降低信息質量,或引起信息誤碼。


  
  3、靜電感應的危害


  
   受靜電感應的物體與帶電體完全等價,并有靜電力學現象和放電現象的發生,如果感應物體的電阻是較小良導體時,還會發生火花放電而造成危害。


  
  A、生產操作的車間里。


  
   高電壓設備、線路附近,人員在操作焊接、擺弄MOS器件或MOSIC時,由于靜電感應,極易引起人體對器件的靜電放電,從而損壞器件。


  
   B、管道輸送的空調氣流(離子流),對人體吹風時相當于充電,當帶電人體接觸敏感器件,靜電放電會擊穿損壞器件。


  
  4、對電子設備生產過程的靜電危害


  
   整機生產的各個環節都會遭遇靜電破壞。主要環節包括:器件的采購運輸;器件進廠檢驗、驗收;器件儲存、領料;器件插裝、焊接;產品組裝、檢驗;產品包裝,發貨。


  
   除電子元件、電子設備生產過程中受到靜電破壞外,就是在產品使用過程中,也會受到靜電的危害。歸納起來,靜電引起的危害足以造成電子器件和電子設備性能失調,其對電子器件、設備危害的狀況不容忽視。

 

 

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