1．多數電子元器件是靜電敏感器件

          多數未采取保護措施的元器件靜電放電敏感度都是很低，很多在幾百伏的范圍，如MOS單管在100-200V之間，GaAsFET在100－300V之間，而且這些單管是不能增加保護電路的；一些電路尤其是CMOSIC采取了靜電保護設計，可雖然以明顯的提高抗ESD水平，但大多數也只能達到2000－4000V，而在實際環境中產生的靜電電壓則可能達到上萬伏（如第1章的表1.4和表1.6。因此，沒有防護的元器件很容易受到靜電損傷。而且隨著元器件尺寸的越來減小，這種損傷就會越來越多。所以我們說，絕大多數元器件是靜電敏感器件，需要在制造、運輸和使用過程中采取防靜電保護措施。表2.1列出了一些沒有靜電保護設計器件的靜電放電敏感度。

2．靜電對電子行業造成的損失很大

          電子行業如微電子、光電子的制造和使用廠商因為靜電造成的損失和危害是相當嚴重的。據美國1988年的報道，它們的電子行業中，由于ESD的影響，每年的損失達50億美元之多；據日本統計，它們不合格的電子器件中有45％是由于靜電而引起的；我國每年因靜電危害造成的損失也至少有幾千萬。圖2.1是美國Ti公司對某一年對客戶失效器件原因進行分析統計的結果，從中可以看到由EOS/ESD引起的失效占總數的47%；圖1.2是美國半導體可靠性新聞對1993年從制造商、測試方和使用現場得到的3400例失效案例進行的統計，從中可以看到,EOS/ESD造成的失效也達到20%。而圖2.3是一個CMOS器件和一個雙極型器件在受到ESD損傷后芯片內部的相貌像。

          ESD對電子元器件的危害還表現在它的潛在性。即器件在受到ESD應力后并不馬上失效，而會在使用過程中逐漸退化或突然失效。這時的器件是“帶傷工作”。這是人們對靜電危害認識不夠的一個主要原因。實際上，靜電放電對元器件損傷的潛在性和累積效應會嚴重地影響元器件的使用可靠性。由于潛在損傷的器件無法鑒別和剔除，一旦在上機應用時失效，造成的損失就更大。而避免或減少這種損失的最好辦法就是采取靜電防護措施，使元器件避免靜電放電的危害。

          對一種型號的兩組CMOS IC進行過可靠性對比試驗。一組是經歷過低于其失效閾值較多電壓的ESD試驗而功能完全正常的樣品，另一組是未經過任何試驗的良品。壽命試驗的結果是前者的中位壽命（累積失效率為50％的壽命）低于后者2個量級以上。這充分說明了ESD潛在損傷對器件可靠性的影響。

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